Data fusion: some examples in Defense Area and themas for research

Data fusion, restricted to sensor fusion for some people, concerns obviously Defence, This paper tries to define the major axes and to infer different thema of research . Beside some applications (space, surveillance, . . .) and its sources of data (images, radar, data bases, . . ), will be drawn here the main ways that research shouldfollow in order that all the spectrum of data fusion can be covered . Will then be depicted the difficulties related to numerical processing, the symbolic analysis that can be done, the design and management of a multiple sources system, or the problem asked by the visualisation of multi sources data .La fusion de données, réduite à la fusion de capteurs pour certains, est à l'évidence un point intéressant la Défense. Cet article vise à en définir les grandes lignes pour en déduire des axes de recherche. Outre différents thèmes d'application (imagerie spatiale, surveillance,...) et leurs sources d'information (images, radar, bases de données,...) seront abordées ici les grandes directions que devrait suivre la recherche pour tenter de couvrir tout le spectre, très large, de la fusion de données. Seront donc investigués les points durs specifiques au traitement numérique des données, à l'exploitation symbolique qui peut en être faite, à la définition puis la gestion d'un système à sources multiples, ou aux problèmes posés par la visualisation de données multi source

Transient current technique for charged traps detection in silicon bonded interfaces

Wafer bonding is an established technology for the manufacturing of silicon-on-insulator (SOI) substrates, micro-electromechanical systems (MEMS) and microfluidic devices. Low temperature direct bonding techniques can be of particular interest for the fabrication of monolithic radiation sensors. Such techniques allow the joining of various absorbers on the backside of thinned CMOS circuity without intermediate layers or through vias. This paper presents a method for the electrical characterization of such bonded interfaces based on the Transient Current Technique (TCT). This method can be extended to the investigation of any type of solid-state devices